Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/280674
Заглавие документа: | Моделирование инжекционных лазеров на основе HgTe/CdHgTe гетероструктур с квантовыми ямами, излучающих в области частот фононного резонанса GaAs |
Авторы: | Афоненко, А. А. Ушаков, Д. В. Алымов, Г. В. Дубинов, А. А. Морозов, С. В. Гавриленко, В. И. Свинцов, Д. А. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2021 |
Издатель: | Нижний Новгород : Изд-во Нижегородского госуниверситета |
Библиографическое описание источника: | Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.). В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. — С. 562-563. |
Аннотация: | На основе динамической распределенной диффузионно-дрейфовой модели лазерных гетероструктур, учитывающей процессы электронного и дырочного захвата в квантовые ямы, излучательную и безызлучательную Оже рекомбинации, а также нагрев активной области, теоретически продемонстрирована возможность получения генерации при инжекционной накачке квантовых ям HgTe в диапазоне длин волн 26–30 мкм при температурах до 90 К. Показано, что при внешней температуре 70 К средняя выходная мощность за импульс 1 мкс может достигать ~9 мВт. |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/280674 |
Финансовая поддержка: | Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РНФ № 17-12-01360. |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
НАНО-2021v2_562-563.pdf | 1,01 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.