Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/27440Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Fedotov, A. K. | - |
| dc.contributor.author | Tarasik, M. I. | - |
| dc.contributor.author | Svito, I. A. | - |
| dc.contributor.author | Zhukowski, P. | - |
| dc.contributor.author | Koltunowicz, T. N. | - |
| dc.contributor.author | Mammadov, T. G. | - |
| dc.contributor.author | Seyidov, M. Yu. | - |
| dc.contributor.author | Suleymanov, R. A. | - |
| dc.contributor.author | Grivickas, V. | - |
| dc.contributor.author | Bicbaevas, V. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-12-17T16:46:11Z | - |
| dc.date.available | 2012-12-17T16:46:11Z | - |
| dc.date.issued | 2012-07 | - |
| dc.identifier.issn | 0033-2097 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/27440 | - |
| dc.description.abstract | In the doped crystals TlGaSe2 and TlInS2, using method of temperature dependencies of DC resistance in the temperature range of 100 – 300 K, the phase transitions at the temperatures of 240 – 245 K and 105 – 120 K were observed. The AC conductance measurements at room temperature indicated the hopping mechanism of carrier transport in the studied samples. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | Electrical Review, R.88, N.7a (2012) 301–304 | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Electrical Properties of the Layered Single Crystals TlGaSe2 and TlInS2 | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Архив статей | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Electrical Properties of the Layered Single Crystals TlGaSe2 and TlInS2.pdf | 756,83 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.