Влияние шероховатости поверхности на лазерные свойства InGaN/GaN гетероструктур, выращенных на кремнии

Данильчик, А. В.; Нагорный, А. В.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271756

Title:	Влияние шероховатости поверхности на лазерные свойства InGaN/GaN гетероструктур, выращенных на кремнии
Other Titles:	Influence of surface roughness on the laser properties of InGaN/GaN heterostructures grown on silicon / A. V. Danilchyk, A. V. Nahorny, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko
Authors:	Данильчик, А. В. Нагорный, А. В. Павловский, В. Н. Луценко, Е. В.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	2021
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 236-240.
Abstract:	В данной работе исследованы излучательные свойства гетероструктур InGaN/GaN, выращенных на кремниевых подложках с различным дизайном и толщинами квантовых ям, при оптическом возбуждении. Установлена корреляция лазерных и фотолюминесцентных свойств с морфологией поверхности покровных слоев нитрида галлия. Показана зависимость шероховатости поверхности и плотности дефектов от условий роста и толщины слоя квантовых ям InGaN
Abstract (in another language):	In this work, we investigated the radiative properties of InGaN/GaN heterostructures grown on silicon substrates with different designs and quantum wells thicknesses under optical excitation. The correlation of the laser and photoluminescent properties with the surface morphology of the gallium nitride cap layers, their surface roughness, pinhole and cracks surface density has been established. In turn, the surface roughness and defect density was shown to depend on the growth conditions and the thickness of the InGaN layer
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/271756
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Number, date deposit:	№ 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021
Appears in Collections:	2021. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
236-240.pdf		1,26 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar