Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Сборники научных статей и материалы конференций факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Квантовая электроника
  6. 2021. Квантовая электроника
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271756
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorДанильчик, А. В.
dc.contributor.authorНагорный, А. В.
dc.contributor.authorПавловский, В. Н.
dc.contributor.authorЛуценко, Е. В.
dc.date.accessioned2021-11-12T07:30:59Z-
dc.date.available2021-11-12T07:30:59Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 236-240.
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/271756-
dc.description.abstractВ данной работе исследованы излучательные свойства гетероструктур InGaN/GaN, выращенных на кремниевых подложках с различным дизайном и толщинами квантовых ям, при оптическом возбуждении. Установлена корреляция лазерных и фотолюминесцентных свойств с морфологией поверхности покровных слоев нитрида галлия. Показана зависимость шероховатости поверхности и плотности дефектов от условий роста и толщины слоя квантовых ям InGaN
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
dc.titleВлияние шероховатости поверхности на лазерные свойства InGaN/GaN гетероструктур, выращенных на кремнии
dc.title.alternativeInfluence of surface roughness on the laser properties of InGaN/GaN heterostructures grown on silicon / A. V. Danilchyk, A. V. Nahorny, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko
dc.typeconference paper
dc.identifier.deposit№ 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021
dc.description.alternativeIn this work, we investigated the radiative properties of InGaN/GaN heterostructures grown on silicon substrates with different designs and quantum wells thicknesses under optical excitation. The correlation of the laser and photoluminescent properties with the surface morphology of the gallium nitride cap layers, their surface roughness, pinhole and cracks surface density has been established. In turn, the surface roughness and defect density was shown to depend on the growth conditions and the thickness of the InGaN layer
Располагается в коллекциях:2021. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
236-240.pdf1,26 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.