Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271726| Title: | Электрофизические свойства светоизлучающих структур на основе SiO2 , имплантированного высокими дозами ионов олова |
| Other Titles: | Electrophysical properties of light-emitting structures based on high fluence Sn-implanted SiO2 layers / I.A. Romanov, F.F. Komarov |
| Authors: | Романов, И. А. Комаров, Ф. Ф. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 134-137. |
| Abstract: | Светоизлучающие структуры на базе кремния изготовлены методом имплантации ионов олова с энергией 80 кэВ и дозами 1×10 17 , 5×10 16 и 2,5×10 16 ион/см2 в термически выращенные слои SiO2 с последующей термообработкой при 900 °C. Установлено, что концентрация дефектов в имплантированных слоях стремительно возрастает с увеличением дозы имплантации. Сформированные структуры обладают интенсивной фото- и электролюминесценцией в фиолетовой области спектра, которая приписывается люминесценции нановключений SnO2 . Увеличение дозы имплантации приводит к увеличению концентрации центров безызлучательной рекомбинации, возрастанию тока утечки и уменьшению эффективности фото- и электролюминесценции полосы с максимумом при 3,2 эВ |
| Abstract (in another language): | Silicon-based light-emitting structures have been fabricated by high-fluence Sn implantation (80 keV, 2.5×10 16 , 5×10 16 and 1×10 17 ion/cm 2 ) into thermally grown SiO2 and afterwards annealed at 900 °C for 60 minutes in ambient air. It was found that the concentration of defects in the implanted layers increases rapidly with the increase in the implantation dose. The implanted samples exhibit an intense photo- and electroluminescence in the violet region of the spectrum, which is attributed to the luminescence of SnO2 nanoparticles. An increase in the implantation dose leads to an increase in the concentration of nonradiative recombination centers, an increase in the leakage current, and a decrease in the efficiency of the photo- and electroluminescence of the band with a maximum at 3.2 eV |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271726 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Number, date deposit: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Appears in Collections: | 2021. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 134-137.pdf | 994,83 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.