Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Сборники научных статей и материалы конференций факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Квантовая электроника
  6. 2021. Квантовая электроника
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271726
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorРоманов, И. А.
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.
dc.date.accessioned2021-11-12T07:30:53Z-
dc.date.available2021-11-12T07:30:53Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 134-137.
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/271726-
dc.description.abstractСветоизлучающие структуры на базе кремния изготовлены методом имплантации ионов олова с энергией 80 кэВ и дозами 1×10 17 , 5×10 16 и 2,5×10 16 ион/см2 в термически выращенные слои SiO2 с последующей термообработкой при 900 °C. Установлено, что концентрация дефектов в имплантированных слоях стремительно возрастает с увеличением дозы имплантации. Сформированные структуры обладают интенсивной фото- и электролюминесценцией в фиолетовой области спектра, которая приписывается люминесценции нановключений SnO2 . Увеличение дозы имплантации приводит к увеличению концентрации центров безызлучательной рекомбинации, возрастанию тока утечки и уменьшению эффективности фото- и электролюминесценции полосы с максимумом при 3,2 эВ
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
dc.titleЭлектрофизические свойства светоизлучающих структур на основе SiO2 , имплантированного высокими дозами ионов олова
dc.title.alternativeElectrophysical properties of light-emitting structures based on high fluence Sn-implanted SiO2 layers / I.A. Romanov, F.F. Komarov
dc.typeconference paper
dc.identifier.deposit№ 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021
dc.description.alternativeSilicon-based light-emitting structures have been fabricated by high-fluence Sn implantation (80 keV, 2.5×10 16 , 5×10 16 and 1×10 17 ion/cm 2 ) into thermally grown SiO2 and afterwards annealed at 900 °C for 60 minutes in ambient air. It was found that the concentration of defects in the implanted layers increases rapidly with the increase in the implantation dose. The implanted samples exhibit an intense photo- and electroluminescence in the violet region of the spectrum, which is attributed to the luminescence of SnO2 nanoparticles. An increase in the implantation dose leads to an increase in the concentration of nonradiative recombination centers, an increase in the leakage current, and a decrease in the efficiency of the photo- and electroluminescence of the band with a maximum at 3.2 eV
Располагается в коллекциях:2021. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
134-137.pdf994,83 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.