Влияние импульсного лазерного отжига на электрофизические характеристики барьерной структуры Ni/3C-SiC/Si

Полонский, Н. В.; Козодоев, С. В.; Лобанок, М. В.; Гайдук, П. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271673

Title:	Влияние импульсного лазерного отжига на электрофизические характеристики барьерной структуры Ni/3C-SiC/Si
Other Titles:	Effect of laser treatment on the electrophysical characteristics of the Ni/3C-SiC/Si barrier structure / M. V. Palonski, S. V. Kozodaev, M. V. Lobanov, P. I. Gaiduk
Authors:	Полонский, Н. В. Козодоев, С. В. Лобанок, М. В. Гайдук, П. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date:	2021
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 398-401.
Abstract:	Исследованы электрофизические характеристики контактов Шоттки на структуре 3C-SiC/Si до и после импульсного лазерного отжига на воздухе при плотности энергии 1.7 Дж/см2 и 2.5 Дж/см2. Приведен сравнительный анализ измерений электрофизических характеристик контактов. Результаты измерений ВАХ демонстрируют низкие значения обратных токов утечек (200 нА при -10 В) после облучения лазерным импульсом с плотностью энергии 1.7 Дж/см2
Abstract (in another language):	The electrophysical characteristics of Schottky contacts of the Ni/3C-SIC/SI structure before and after laser annealing in air with an Nd:YAG laser at energy densities of 1.7 J/cm2 and 2.5 J/cm2 are investigated. The results of measurements of the electrophysical characteristics of contacts are presented. The I-V characteristics demonstrated low values of reverse leakage currents (200 aT -10 V) after laser annealing at 1.7 J/cm2
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/271673
Sponsorship:	Исследования выполнены в рамках проекта ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702)
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Number, date deposit:	№ 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021
Appears in Collections:	2021. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
398-401.pdf		1,01 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar