Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271673Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Полонский, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Козодоев, С. В. | |
| dc.contributor.author | Лобанок, М. В. | |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2021-11-12T07:30:42Z | - |
| dc.date.available | 2021-11-12T07:30:42Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 398-401. | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271673 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы электрофизические характеристики контактов Шоттки на структуре 3C-SiC/Si до и после импульсного лазерного отжига на воздухе при плотности энергии 1.7 Дж/см2 и 2.5 Дж/см2. Приведен сравнительный анализ измерений электрофизических характеристик контактов. Результаты измерений ВАХ демонстрируют низкие значения обратных токов утечек (200 нА при -10 В) после облучения лазерным импульсом с плотностью энергии 1.7 Дж/см2 | |
| dc.description.sponsorship | Исследования выполнены в рамках проекта ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (проект 3.1.2, № ГР 20212702) | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Влияние импульсного лазерного отжига на электрофизические характеристики барьерной структуры Ni/3C-SiC/Si | |
| dc.title.alternative | Effect of laser treatment on the electrophysical characteristics of the Ni/3C-SiC/Si barrier structure / M. V. Palonski, S. V. Kozodaev, M. V. Lobanov, P. I. Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.identifier.deposit | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 | |
| dc.description.alternative | The electrophysical characteristics of Schottky contacts of the Ni/3C-SIC/SI structure before and after laser annealing in air with an Nd:YAG laser at energy densities of 1.7 J/cm2 and 2.5 J/cm2 are investigated. The results of measurements of the electrophysical characteristics of contacts are presented. The I-V characteristics demonstrated low values of reverse leakage currents (200 aT -10 V) after laser annealing at 1.7 J/cm2 | |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 398-401.pdf | 1,01 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.