Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271670| Title: | ИК прозрачность структур с островковым поверхностным слоем, сформированным методом селективного лазерного отжига |
| Other Titles: | IR transparency of structures with an island surface layer formed by selective laser annealing / A.I. Mukhammad, V.O. Nalivaiko, I.R. Koshelev, G.D. Ivlev, P.I. Gaiduk, O.Yu. Nalivaiko, V.V. Kolos |
| Authors: | Мухаммад, А. И. Наливайко, В. О. Кошелев, И. Р. Ивлев, Г. Д. Гайдук, П. И. Наливайко, О. Ю. Колос, В. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Квантовая электроника : материалы XIII Междунар. науч.-техн. конференции, Минск, 22–26 ноября 2021 г. / БГУ, НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко БГУ, Ин-т физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ; [редкол.: М. М. Кугейко (отв. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 386-389. |
| Abstract: | Предложен оригинальный метод селективного лазерного отжига многослойной структуры а-Si/SiO2/Si3N4/Si, с помощью которого были сформированы периодические структуры с поверхностным слоем в виде рекристаллизованных островков поликристаллического кремния с высоким уровнем легирования. Обнаружено, что формирование островкового слоя приводит к двукратному уменьшению коэффициент пропускания оптического излучения в инфракрасном диапазоне спектра. Показано, что основные отличия в поведении спектров пропускания исходной и структуры с островковым поверхностным слоем наблюдаются в дальней инфракрасной области (≥ 20 мкм). Результаты исследования интерпретированы с учетом предположения о возникновении в структуре с островковым поверхностным слоем, “мнимых” поверхностных плазмонов в терагерцовом диапазоне |
| Abstract (in another language): | Periodic structures with an insular surface layer were formed on the basis of a multilayer silicon structure by selective laser annealing. It is found that the transmission coefficient of infrared radiation of a structure with an insular surface layer is less than that of the original structure. It is established that the occurrence of transmission peaks in the range of 2÷5 microns is associated with interference in the surface and dielectric layers. It is shown that the main differences in the behavior of the transmission spectra of the initial structure and the structure with an insular surface layer are observed in the far infrared region (≥ 20 microns). The results of the study are interpreted taking into account the assumption that “spoof” surface plasmons occur in structures with an insular surface layer |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271670 |
| Sponsorship: | Исследования проводились при финансовой поддержке БРФФИ (проект № Т18Р-190), проекта ГПНИ (№ ГР 20212702), а также гранта Министерства образования, финансовый номер № 728/12 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Number, date deposit: | № 010503112021, Деп. в БГУ 03.11.2021 |
| Appears in Collections: | 2021. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 386-389.pdf | 967,71 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.