Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271086| Заглавие документа: | Моделирование влияния рентгеновского излучения на распределение электрических полей в ячейке SiФЭУ с металлизированными разделительными канавками |
| Другое заглавие: | Simulating the impact of X-ray radiation on the distribution of the electric fields in SiPM cell with metallized dividing trenches / D.A. Ogorodnikov |
| Авторы: | Огородников, Д. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 191-195. |
| Аннотация: | С помощью программного комплекса «Silvaco» рассмотрено изменение распределения электрических полей в ячейках SiФЭУ с металлизированными разделительными канавками в результате облучения рентгеновскими квантами с энергией 10 кэВ дозой 10 5 рад. Ячейки представляли собой оптически изолированные друг от друга n+-p-p+ -структуры. Оптическая изоляция ячеек осуществлялась канавками, которые после пассивации стенок слоем SiО2 заполнялись вольфрамом. Вывод металла канавки электрически соединялся с n+ - областью ячейки. Облучение SiФЭУ проводилось при значениях обратного смещения Ub = -30 В и Ub = 0 В. Показано, что в активном режиме облучения напряженность электрического поля вблизи (5 нм) границы раздела SiО2 /р-Si увеличивается 5.1 раза, а в пассивном — 1.6 раза. Результаты объясняются влиянием электрического поля на величину выхода дырочного заряда в SiО2 |
| Аннотация (на другом языке): | With the help of software complex «Silvaco» the change in distribution of electric fields in the cells of SiPM with metallized dividing trenches was considered. SiPM cells were irradiated with X-ray quanta with an energy of 10 keV until a dose of 10 5 rad. The cells represented optically isolated n+-p-p+ -structures. The optical isolation of the cells was represented as trenches, which were filled with tungsten, after their walls were passivated with a layer of SiO2. The metal output contact of the trench was electrically connected to the n+ -region of the cell. The SiPM was irradiated at the following electrical conditions: reverse bias Ub = -30 V (active mode) and Ub = 0 V (passive mode) It is shown that in the irradiation process in the active mode the electric field intensity near (5 nm) SiO2 /p-Si interface increased by a factor of 5.1, and in the passive mode – by a factor of 1.6. The results were explained by the influence of the electric field on the hole charge yield in SiO2 |
| Доп. сведения: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271086 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 191-195.pdf | 627,29 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.