О природе водородосодержащего дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ в облученном кремнии

Медведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Фадеева, Е. А.; Мурин, Л. И.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271082

Title:	О природе водородосодержащего дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ в облученном кремнии
Other Titles:	Hydrogen-containing defect with an E(-/+) energy level at Ec-0.075 eV in irradiated silicon / I.F. Medvedeva, V.P. Markevich, Е.А. Fadzeeva, L.I. Murin
Authors:	Медведева, И. Ф. Маркевич, В. П. Фадеева, Е. А. Мурин, Л. И.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2021
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 172-177.
Abstract:	Исследованы процессы образования и отжига метастабильного водородосодержащего радиационного дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ (D0.075) в кристаллах Сz-Si<O> n-типа, подвергнутых облучению быстрыми электронами с Е = 3.5 МэВ и отжигу в интервале температур 275-425 °C. Перед облучением кристаллы насыщались водородом путем высокотемпературной in-диффузии из газовой среды. Из анализа данных по кинетике накопления и исчезновения комплекса D 0.075 установлены значения энергий активации его образования и отжига, Еа-обр = 1.9 ± 0.3 эВ и Еа-отж = 2.1 ± 0.05 эВ, соответственно. Полученные результаты позволяют утверждать о вхождении в состав комплекса D0.075 атома водорода и кислородосодержащего радиационного дефекта Сi-Oi
Abstract (in another language):	Formation and annihilation processes of a metastable hydrogen-containing radiation-induced complex with an E(-/+) energy level at Ec-0.075 eV (D0,075) have been investigated in n-type Cz-Si<O> crystals, which were subjected to irradiation with 3.5 MeV electrons and heat-treatments in the temperature range 275-425 °C. Before irradiation the crystals were saturated with hydrogen by high-temperature in-diffusion from H2 gas ambient. From the analysis of data on kinetics of accumulation and annealing of the D0,075 complex the values of activation energies of the defect formation and annihilation processes have been determined as Ea-form = 1.9 ± 0.3 eV and Ea-ann = 2.1 ± 0.05 eV, respectively. It is argued that the D0,075 complex consists of a hydrogen atom and oxygen-containing radiation-induced defect, Ci-Oi
Description:	Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/271082
ISSN:	2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online)
Appears in Collections:	2021. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
172-177.pdf		440,38 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar