Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/271082
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМедведева, И. Ф.
dc.contributor.authorМаркевич, В. П.
dc.contributor.authorФадеева, Е. А.
dc.contributor.authorМурин, Л. И.
dc.date.accessioned2021-10-28T08:18:53Z-
dc.date.available2021-10-28T08:18:53Z-
dc.date.issued2021
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 172-177.
dc.identifier.issn2663-9939 (Print)
dc.identifier.issn2706-9060 (Online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/271082-
dc.descriptionСекция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids
dc.description.abstractИсследованы процессы образования и отжига метастабильного водородосодержащего радиационного дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ (D0.075) в кристаллах Сz-Si<O> n-типа, подвергнутых облучению быстрыми электронами с Е = 3.5 МэВ и отжигу в интервале температур 275-425 °C. Перед облучением кристаллы насыщались водородом путем высокотемпературной in-диффузии из газовой среды. Из анализа данных по кинетике накопления и исчезновения комплекса D 0.075 установлены значения энергий активации его образования и отжига, Еа-обр = 1.9 ± 0.3 эВ и Еа-отж = 2.1 ± 0.05 эВ, соответственно. Полученные результаты позволяют утверждать о вхождении в состав комплекса D0.075 атома водорода и кислородосодержащего радиационного дефекта Сi-Oi
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleО природе водородосодержащего дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ в облученном кремнии
dc.title.alternativeHydrogen-containing defect with an E(-/+) energy level at Ec-0.075 eV in irradiated silicon / I.F. Medvedeva, V.P. Markevich, Е.А. Fadzeeva, L.I. Murin
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeFormation and annihilation processes of a metastable hydrogen-containing radiation-induced complex with an E(-/+) energy level at Ec-0.075 eV (D0,075) have been investigated in n-type Cz-Si<O> crystals, which were subjected to irradiation with 3.5 MeV electrons and heat-treatments in the temperature range 275-425 °C. Before irradiation the crystals were saturated with hydrogen by high-temperature in-diffusion from H2 gas ambient. From the analysis of data on kinetics of accumulation and annealing of the D0,075 complex the values of activation energies of the defect formation and annihilation processes have been determined as Ea-form = 1.9 ± 0.3 eV and Ea-ann = 2.1 ± 0.05 eV, respectively. It is argued that the D0,075 complex consists of a hydrogen atom and oxygen-containing radiation-induced defect, Ci-Oi
Располагается в коллекциях:2021. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
172-177.pdf440,38 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.