Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271024| Заглавие документа: | Люминесцентные свойства ионно-синтезированных нановключений 9R-Si в структурах SiO2/Si |
| Другое заглавие: | Luminescent properties of ion-synthesized 9R-Si nanoinclusions in SiO2/Si structures / Dmitry Korolev, Alena Nikolskaya, Alexey Belov, Alexey Mikhaylov, Anton Konakov, David Tetelbaum |
| Авторы: | Королев, Д. С. Никольская, А. А. Белов, А. И. Михайлов, А. Н. Конаков, А. А. Тетельбаум, Д. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 472-475. |
| Аннотация: | Представлены результаты исследования люминесцентных свойств нановключений фазы 9R-Si, синтезированных в структурах SiO2/Si в подложке кремния на границе раздела с оксидной пленкой. Изучено влияние толщины пленки SiO2, а также дозы облучения ионами Kr+ на спектры фотолюминесценции. Природа наблюдаемых закономерностей объясняется конкуренцией между факторами, способствующими образованию фазы 9R-Si, и образованием радиационных дефектов, гасящих люминесценцию. Полученные результаты позволяют установить наличие оптимальных условий ионно-лучевого синтеза, обеспечивающих формирование светоизлучающих включений 9R-Si в алмазоподобном кремнии |
| Аннотация (на другом языке): | The results of investigation of the luminescent properties of 9R-Si phase nanoinclusions synthesized in SiO2/Si structures in a silicon substrate near the interface with an oxide film are presented. The effect of the SiO2 film thickness, as well as the dose of irradiation with Kr+ ions, on the photoluminescence spectra has been studied. The nature of the observed regularities is explained by the competition between the factors promoting the formation of the 9R-Si phase and the formation of radiation defects that quench the luminescence. The results obtained make it possible to establish optimal conditions for ion-beam synthesis, ensuring the formation of light-emitting 9R-Si inclusions in diamond-like silicon |
| Доп. сведения: | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271024 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Исследование выполнено при поддержке гранта Президента РФ (МК-4092.2021.1.2), а также при частичной поддержке РФФИ (проект 20-32-90204) |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 472-475.pdf | 389,24 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.