Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/271024Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Королев, Д. С. | |
| dc.contributor.author | Никольская, А. А. | |
| dc.contributor.author | Белов, А. И. | |
| dc.contributor.author | Михайлов, А. Н. | |
| dc.contributor.author | Конаков, А. А. | |
| dc.contributor.author | Тетельбаум, Д. И. | |
| dc.date.accessioned | 2021-10-28T08:18:41Z | - |
| dc.date.available | 2021-10-28T08:18:41Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 472-475. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (Print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (Online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/271024 | - |
| dc.description | Секция 4. Формирование наноматериалов и наноструктур = Section 4. Formation of nanomaterials and nanostructures | |
| dc.description.abstract | Представлены результаты исследования люминесцентных свойств нановключений фазы 9R-Si, синтезированных в структурах SiO2/Si в подложке кремния на границе раздела с оксидной пленкой. Изучено влияние толщины пленки SiO2, а также дозы облучения ионами Kr+ на спектры фотолюминесценции. Природа наблюдаемых закономерностей объясняется конкуренцией между факторами, способствующими образованию фазы 9R-Si, и образованием радиационных дефектов, гасящих люминесценцию. Полученные результаты позволяют установить наличие оптимальных условий ионно-лучевого синтеза, обеспечивающих формирование светоизлучающих включений 9R-Si в алмазоподобном кремнии | |
| dc.description.sponsorship | Исследование выполнено при поддержке гранта Президента РФ (МК-4092.2021.1.2), а также при частичной поддержке РФФИ (проект 20-32-90204) | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Люминесцентные свойства ионно-синтезированных нановключений 9R-Si в структурах SiO2/Si | |
| dc.title.alternative | Luminescent properties of ion-synthesized 9R-Si nanoinclusions in SiO2/Si structures / Dmitry Korolev, Alena Nikolskaya, Alexey Belov, Alexey Mikhaylov, Anton Konakov, David Tetelbaum | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The results of investigation of the luminescent properties of 9R-Si phase nanoinclusions synthesized in SiO2/Si structures in a silicon substrate near the interface with an oxide film are presented. The effect of the SiO2 film thickness, as well as the dose of irradiation with Kr+ ions, on the photoluminescence spectra has been studied. The nature of the observed regularities is explained by the competition between the factors promoting the formation of the 9R-Si phase and the formation of radiation defects that quench the luminescence. The results obtained make it possible to establish optimal conditions for ion-beam synthesis, ensuring the formation of light-emitting 9R-Si inclusions in diamond-like silicon | |
| Располагается в коллекциях: | 2021. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 472-475.pdf | 389,24 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.