Разработка, изготовление, моделирование и анализ характеристик тестовых структур на основе SiGe : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Л. Ф. Макаренко

Abstract

Объектами исследований являются n+–p- и p+–n-структуры на основе кремния и кремний-германиевых сплавов, облученные электронами и альфа-частицами. Целями проекта являются определение электрических и атомных свойств радиационных дефектов, образующихся после облучения указанными видами частиц, нахождение взаимосвязи между параметрами исходных материалов, технологических процессов изготовления приборных структур и скоростью образования и устойчивостью радиационных дефектов в структурах на основе кремния и кремний-германиевых сплавов, а также для разработки моделей, которые позволят интерпретировать экспериментальные данные по взаимодействию электронной подсистемы кристалла с радиационными дефектаими. В результате исследований в рамках НИР получены новые экспериментальные данные о свойствах дефектов междоузельного типа в n+–p-структурах на основе кремния и кремний-германиевых сплавов, облученных электронами и ионами гелия. Проведены исследования влияния различных термических обработок на содержание радиационно-индуцированных дефектов, связанных с бором и кислородом. Определены температуры их отжига. Установлено, что легирование германием не влияет на энергию активации отжига бор-кислородного комплекса. Показано, что более эффективным способом восстановления концентрации носителей заряда по сравнению с термическим отжигом является инжекционный отжиг.