Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/25863Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Челядинский, А. Р. | - |
| dc.contributor.author | Вавилов, В. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-12-04T11:51:38Z | - |
| dc.date.available | 2012-12-04T11:51:38Z | - |
| dc.date.issued | 1995-03 | - |
| dc.identifier.citation | УФН. – 1995. – Т. 165, № 2. – С. 347-358. | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/25863 | - |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | Архив статей | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| DEF_Имплантация ионов в Si дефекты_Челядинск.pdf | 352,74 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.