Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257360
Заглавие документа: Последовательное химическое осаждение сульфида олова на нанотекстурированную подложку алюминия для фотопреобразователей солнечного излучения
Другое заглавие: Sequentional chemical deposition of tin sulphide onto nanotextured aluminum surface for solar light photoelectric converters / E. A. Outkina, M. V. Meledina, A. A. Khodin
Авторы: Уткина, Е. А.
Меледина, М. В.
Ходин, А. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2020
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 416-420.
Аннотация: Рассмотрены основные электрофизические характеристики и методы получения тонких пленок и наночастиц сульфида олова SnS из раствора для применения в солнечных элементах и других электронных приборах. Методом послойного осаждения SILAR из растворов прекурсоров на наноструктурированные темплат-подложки Al получены наноструктурированные слои SnS. Представлена схема процесса послойного осаждения на темплат-подложку с наноoстриями Al
Аннотация (на другом языке): The main electrophysical characteristics and solution-based fabrication methods for tin sulfide SnS thin films and nanoparticles are considered as applied to solar cells and other electronic devices. Using the SILAR layer-by-layer deposition technique from precursor solutions onto nanostructured Al template substrates, the SnS nanostructured layers have been fabricated. The scheme for layer-by-layer deposition process on template substrate with Al nanotips is presented
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257360
ISBN: 978-985-881-073-3
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
416-420.pdf568,69 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.