Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257354
Заглавие документа: Спин-зависимое туннелирование на поверхностные состояния диоксида титана в углеродных материалах
Другое заглавие: Spin-dependent tunneling to the surface states of the titanium dioxide / T. N. Sidorova
Авторы: Сидорова, Т. Н.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2020
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 390-394.
Аннотация: Представлены результаты моделирования спин-зависимого туннелирования электронов на поверхностные состояния диоксида титана, образованные адсорбированными органическими загрязнениями. Коэффициент туннельной прозрачности для генерируемых солнечным светом электронов рассчитан с помощью разработанной модели на основе метода фазовых функций. В качестве инжектора спин-зависимых электронов в диоксид титана в структуре используется пленка ферромагнетика. Показано, что величина спиновой поляризации электронов на поверхностных состояниях достигает значения до 25 %, что может способствовать реализации процессов спинового катализа очистки от органических загрязнений
Аннотация (на другом языке): A simulation of spin-dependent tunneling of electrons to the surface states of the titanium dioxide, which are created by the adsorbed organic impurities is performed. Coefficient of tunneling transparency for the generated by the sunlight electrons is calculated by the model based on phase function method. As injector of spin-dependent electrons to the titanium dioxide in the structure a film of the ferromagnetic is used. It is shown that value of electron spin polarization on the surface states reach a value up to 25 %. It can help in the realization of process of the spin catalysis peeling from the organic impurities
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257354
ISBN: 978-985-881-073-3
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
390-394.pdf599,81 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.