Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257341| Title: | Кассетная кристаллизация пластин халькогенидов для термоэлектрических применений |
| Other Titles: | Cassette crystallization of chalcogenide plates for thermoelectric applications / V. T. Bublik, N. A. Verezub, A. I. Voronin, A. I. Prostomolotov, N. Yu. Tabachkova |
| Authors: | Бублик, В. Т. Верезуб, Н. А. Воронин, А. И. Простомолотов, А. И. Табачкова, Н. Ю. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 34-39. |
| Abstract: | Рассмотрена перспективная модификация метода Бриджмена в виде процесса кассетной кристаллизации для выращивания пластин термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута. С помощью математического моделирования установлены закономерности формирования температурного поля в ростовой кассете в зависимости от темпов её охлаждения. Показано, что конструктивные особенности кассеты существенно влияют на скорость её охлаждения и форму фронта кристаллизации. Для выращенных поликристаллических пластин проведен рентгенодифрактометрический контроль однородности состава по длине и сечению образцов. Дана рентгеноструктурная оценка формы фронта кристаллизации. Измерение термоэлектрических свойств образцов проведено методом Хармана |
| Abstract (in another language): | A promising modification of the Bridgman method in the form of a cassette crystallization process for growing plates of thermoelectric materials based on bismuth telluride is considered. With the help of mathematical modeling, the regularities of the thermal field formation, depending on the cooling rate in the growth cassette are established. It is shown that the cassette design features significantly affect on its cooling rate and the shape of the crystallization front. For the grown polycrystalline wafers, an X-ray diffractometric control of the composition inhomogeneity along the length and cross-section of the samples was carried out. An X-ray structural assessment of the shape of the crystallization front is given. The thermoelectric properties of the samples were measured by the Harman method |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257341 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Sponsorship: | Работа выполнена на вычислительной базе ИПМех РАН (тема № АААА-А20-120011690136-2) при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 18-02-00036) |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.