Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257315
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorLevchuk, E. A.
dc.contributor.authorMakarenko, L. F.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:18Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:18Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 238-243.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257315-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractNumerical simulation results of exchange coupling in the system of near-surface donor and quantum dot pairs are presented. Exchange energy under the effect of external external electric field has been calculated using Hartree-Fock method. Fourier transform and finite element methods have been used to solve the problem for the Poisson equation. The dependences of exchange energy on external electric field have been obtained. Limits of applicability of electric field for the system control are discussed. The effect of donors position has been investigated
dc.language.isoen
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleNumerical modeling of geometrical effects on manipulation of exchange interaction for two-electron states in nanogates-donors system
dc.typeconference paper
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
238-243.pdf326,28 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.