Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257298| Title: | Оптически активные дефекты в облученных ионами ксенона алмазах и их распределение до и после отжига |
| Other Titles: | Optically active defects in diamonds irradiated with xenon ions and their distribution before and after annealing / N. M. Kazuchits, V. N. Kazuchits, O. V. Korolik, M. S. Rusetsky, N. S. Kirilkin, V. A. Skuratov |
| Authors: | Казючиц, Н. М. Казючиц, В. Н. Королик, О. В. Русецкий, М. С. Кирилкин, Н. С. Скуратов, В. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 179-184. |
| Abstract: | Распределения интенсивности центров комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ) были измерены в алмазе, имплантированном ионами Хе с энергией 167 МэВ. До отжига интенсивность наведенных облучением центров ФЛ уменьшалась вдоль траектории ионов Хе до проективного пробега (Rp). После отжига центры ФЛ распространились глубже 3 Rp. Глубокие «хвосты» распределения центров ФЛ были следствием пластической деформации алмаза в течение отжига. Пластическая деформация алмаза при отжиге также ускоряла агрегацию азота. Используя возбуждение с длиной волны 875 нм, ФЛ связанного с Хе центра при 813 нм была обнаружена в окрестности Rp. Из распределения интенсивности центра 813 нм был измерен Rp ионов Хе с энергией 167 МэВ в алмазе, который составил 9.5 мкм. Это значение приблизительно на 1 мкм меньше рассчитанного методом Монте-Карло |
| Abstract (in another language): | Depth profiles of intensities of Raman scattering (RS) and the photoluminescence (PL) signals have been measured in diamond implanted with 167 MeV Xe ions. Before annealing, the intensity of the irradiation-induced PL centers decreased along the path of the Xe ions up to ion projected range Rp. After annealing, PL centers were found at a depth more than 3Rp. Such deep tails of PL centers was a consequence of annealing-induced plastic deformation in diamond. In addition, plastic deformation of the diamond during annealing was also an accelerator of nitrogen aggregation. Using excitation with a wavelength 875 nm, the Xe related PL center 813 nm was detected near Rp. The 167 MeV Xe ion projected range deduced from the 813 nm center intensity profile was found to be equal 9.5 μm. This value is approximately 1 μm less than that calculated by the Monte Carlo method |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257298 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 179-184.pdf | 1,17 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.