Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257286
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorZalamai, V. V.
dc.contributor.authorTiron, A. V.
dc.contributor.authorRusu, E. V.
dc.contributor.authorMonaico, E. V.
dc.contributor.authorSyrbu, N. N.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:12Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:12Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 12-16.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257286-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractEdge absorption anisotropy in wide temperature interval (10–300 K) were investigated for SnSe single crystals. It was established that minimal band gap (1.091 eV at 300 K) is formed by direct transitions. These transitions are allowed in E||c and forbidden in E||a polarizations, respectively. The next direct band gap (1.316 eV at 300 K) is due to direct transitions allowed in E||a and forbidden in E||c polarization. The strong anisotropy of edge absorption is observed at rotation of polarization vector in a-c plane. The shift coefficient of edge absorption with temperature is estimated as 3.4×10-3 eVK -1 . The investigated samples possess a very high absorption coefficient in the intrinsic region
dc.description.sponsorshipThe authors acknowledge financial support from the Ministry of Education, Culture and Research of Moldova under the Grants #20.80009.5007.20 and 19.80013.50.07.02A/BL. Victor Zalamai and Eduard Monaico thanks to the Alexander von Humboldt Foundation for support
dc.language.isoen
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleNear-edge optical anisotropy in SnSe single crystals
dc.typeconference paper
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
12-16.pdf832,11 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.