Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/248632| Title: | Моделирование туннельного тока в элементах флеш-памяти на основе КНИ-МОП-транзисторов |
| Authors: | Жевняк, О. Г. Жевняк, Я. О. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Кибернетика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2020) : материалы II Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 23–24 апр. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Скакун (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 65-68. |
| Abstract: | С помощью численного моделирования методом Монте-Карло рассмотрено влияние затворного напряжения на величину паразитных токов в элементах флеш-памяти на основе КНИ-МОП-транзисторов в рабочем режиме для транзисторов с узким и широким проводящим слоем |
| Description: | Cекция «Компьютерное моделирование процессов и систем» |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/248632 |
| ISBN: | 978-985-566-942-6 |
| Appears in Collections: | 2020. Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2020) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.