Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/248632Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | |
| dc.contributor.author | Жевняк, Я. О. | |
| dc.date.accessioned | 2020-09-24T12:32:36Z | - |
| dc.date.available | 2020-09-24T12:32:36Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2020) : материалы II Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 23–24 апр. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Скакун (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 65-68. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-942-6 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/248632 | - |
| dc.description | Cекция «Компьютерное моделирование процессов и систем» | |
| dc.description.abstract | С помощью численного моделирования методом Монте-Карло рассмотрено влияние затворного напряжения на величину паразитных токов в элементах флеш-памяти на основе КНИ-МОП-транзисторов в рабочем режиме для транзисторов с узким и широким проводящим слоем | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Кибернетика | |
| dc.title | Моделирование туннельного тока в элементах флеш-памяти на основе КНИ-МОП-транзисторов | |
| dc.type | conference paper | |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2020) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.