Logo BSU

Просмотр "Факультет радиофизики и компьютерных технологий" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 4161 - 4180 из 4795 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
ноя-2019Таммовский плазмон: свойства и перспективы примененийКалитеевский, М. А.
2015Твердотельные лазерные среды на основе полиуретановых матриц с добавками наночастиц.Ануфрик, С. С.; Сазонко, Г. Г.; Тарковский, В. В.; Дзюбенко, М. И.; Николаев, С. В.; Пожар, В. В.
2003Твердотельные лазеры с диодной накачкойДрозд, А. Н.; Манак, И. С.
2000Твердотельные лазеры среднего ик диапазона с диодной лазерной накачкойОрлов, Л. Н.; Желтов, Г. И.; Некрашевич, Я. И.
2013Твердотельный усилитель лазерного излученияЖуковский, В. В.; Бизюк, Е. В.
2023ТГЦ квантово-каскадные лазеры на основе резонансного двухфотонного дизайнаХабибуллин, Р. А.; Афоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.; Пушкарев, С. С.; Галиев, Р. Р.; Пономарев, Д. С.; Ладугин, М. А.; Багаев, Т. А.; Мармалюк, А. А.; Маремьянин, К. В.; Курицын, Д. И.; Гавриленко, В. И.
2022ТГц квантово-каскадные лазеры с испусканием двух фотонов в одном усиливающем модуле, выращенные методами МЛЭ и МОС-гидридной эпитаксииХабибуллин, Р. А.; Афоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.; Пушкарёв, С. С.; Галиев, Р. Р.; Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Клочков, А. Н.; Виниченко, А. Н.; Ладугин, М. А.; Багаев, Т. А.; Мармалюк, А. А.; Маремьянин, К. В.; Гавриленко, В. И.
30-мая-2012Телекоммуникации и компьютерные сетиУтко, П. Л.
8-июл-2015Телекоммуникации и компьютерные сети. №УД-139/уч.Микулович, Александр Владимирович
18-июл-2019Телекоммуникационные системы. №УД-7289Листопад, Н.И.
30-июн-2023Телекоммуникационные системы: учебная программа учреждения высшего образования по учебной дисциплине для специальности: 7-06-0533-03 Радиофизика и информационные технологии. Профилизация: Радиофизика, электроника и информатика. 7-06-0533-08 Кибербезопасность. Профилизация: Технологии и аппаратно-программные средства кибербезопасности № УД-1077/м.Щербак, И. Н.
2021Температура и концентрация электронов лазерно-эмиссионной плазмы Al при ее формировании парными импульсамиАнушкевич, И. А.
2006Температура нагрева активной области INGAN/GAN мощных светоизлучающих диодов и ее зависимость от плотности тока накачкиЛуценко, Е. В.; Данильчик, А. В.; Павловский, В. Н.
2018Температурная зависимость выходной мощности терагерцовых квантово-каскадных лазеров на основе резонансно-фононного дизайнаХабибуллин, Р. А.; Щаврук, Н. В.; Пономарев, Д. С.; Ушаков, Д. В.; Афоненко, А. А.; Волков, О. Ю.; Павловский, В. В.
2010Температурная зависимость порога генерации гетеролазера в системе GaInAsSb/AlGaAsSbСачков, Е. П.; Стецик, В. М.; Манак, И. С.
2004Температурная зависимость порога генерации и внутренние параметры гетеролазеров на ZnCdSeПолищук, В. С.
2013Температурная зависимость порога генерации лазера на гетероструктуре A2B6 с одной вставкой квантовых точек Cd(Zn)Se/ZnSeВойнилович, А. Г.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Сорокин, С. В.; Седова, И. В.; Гронин, С. В.; Климко, Г. В.; Иванов, С. В.
2000Температурная зависимость порогового тока асимметричных квантоворазмерных лазеровАфоненко, А. А.; Кононенко, В. К.; Наливко, С. В.; Манак, И. С.
2018Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГцХабибуллин, Р. А.; Щаврук, Н. В.; Пономарев, Д. С.; Ушаков, Д. В.; Афоненко, А. А.; Васильевский, И. С.; Зайцев, А. А.; Данилов, А. И.; Волков, О. Ю.; Павловский, В. В.; Маремьянин, К. В.; Гавриленко, В. И.
23-янв-2010Температурная зависимость столкновительных ширин линий лазерного перехода 10(0)0-00(0)1 молекулы СО(2)Аршинов, К. И.; Аршинов, М. К.; Невдах, В. В.