Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/9668
Заглавие документа: | Температурная зависимость порога генерации гетеролазера в системе GaInAsSb/AlGaAsSb |
Авторы: | Сачков, Е. П. Стецик, В. М. Манак, И. С. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2010 |
Издатель: | БГУ |
Аннотация: | Величина порогового тока полупроводниковых инжекционных лазеров – одна из важных характеристик этих приборов. Как известно, с повышением температуры порог генерации возрастает. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/9668 |
Располагается в коллекциях: | Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.