Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/9668
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorСачков, Е. П.-
dc.contributor.authorСтецик, В. М.-
dc.contributor.authorМанак, И. С.-
dc.date.accessioned2012-05-22T11:54:35Z-
dc.date.available2012-05-22T11:54:35Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/9668-
dc.description.abstractВеличина порогового тока полупроводниковых инжекционных лазеров – одна из важных характеристик этих приборов. Как известно, с повышением температуры порог генерации возрастает.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleТемпературная зависимость порога генерации гетеролазера в системе GaInAsSb/AlGaAsSbru
Располагается в коллекциях:Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
6.pdf329,38 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.