Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/32824| Title: | Температура нагрева активной области INGAN/GAN мощных светоизлучающих диодов и ее зависимость от плотности тока накачки |
| Authors: | Луценко, Е. В. Данильчик, А. В. Павловский, В. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2006 |
| Publisher: | Академия управления при Президенте Республики Беларусь |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/32824 |
| ISBN: | 985-457-667-1 |
| Appears in Collections: | 2006. Квантовая электроника |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.