Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/32824| Заглавие документа: | Температура нагрева активной области INGAN/GAN мощных светоизлучающих диодов и ее зависимость от плотности тока накачки |
| Авторы: | Луценко, Е. В. Данильчик, А. В. Павловский, В. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2006 |
| Издатель: | Академия управления при Президенте Республики Беларусь |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/32824 |
| ISBN: | 985-457-667-1 |
| Располагается в коллекциях: | 2006. Квантовая электроника |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.