Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/32824
Title: Температура нагрева активной области INGAN/GAN мощных светоизлучающих диодов и ее зависимость от плотности тока накачки
Authors: Луценко, Е. В.
Данильчик, А. В.
Павловский, В. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date: 2006
Publisher: Академия управления при Президенте Республики Беларусь
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/32824
ISBN: 985-457-667-1
Appears in Collections:2006. Квантовая электроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
83-85.Pdf516,79 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.