Образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии, имплантированном ионами водорода

Abstract

Энергетический спектр уровней радиационных дефектов в эпитаксиальном кремнии n-типа, облученном ионами водорода с энергией 300 кэВ, исследовался при помощи метода DLTS (deep level transient spectroscopy). Обнаружено увеличение амплитуды пика DLTS с ростом температуры его регистрации, что свидетельствует об образовании областей скопления дефектов с невысокой плотностью смещения, меньшей исходного уровня легирования. После выдержки облученных образцов при комнатной температуре в течение нескольких месяцев данные области распадаются с образованием точечных изолированных А-, Е-центров и водородосодержащих дефектов с уровнем Ес– 0,31 эВ. Установлено, что комплексы с таким уровнем образуются путем присоединения к А-центру атомов водорода. При температуре Т > 150 °С этот дефект начинает отжигаться, и одновременно увеличивается концентрация А-центра.