Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/229944| Заглавие документа: | Effects of atomically engineered junction interface on resistive switching performance in Al-WOx-Al resistive memory |
| Авторы: | Kim, Hyunsang Im, Hyunsik Kim, Jongmin Jo, Yongcheol Han, J. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2014 |
| Библиографическое описание источника: | Joint Belarus-Korea Symposium on the Physics of Functional Nanomaterials and Nanodevices : Program & Book of Abstracts, Minsk, June 17-19, 2014. - P. 22. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/229944 |
| Располагается в коллекциях: | 2014. Joint Belarus-Korea Symposium on the Physics of Functional Nanomaterials and Nanodevices : Program & Book of Abstracts |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.