Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/226297| Title: | Поведение мышьяка в сплавах Si1-xGex при быстром термическом отжиге |
| Authors: | Гайдук, П. И. Тишков, В. С. Ширяев, С. Ю. Ларсен, А. Н. Комаров, Ф. Ф. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 1998 |
| Publisher: | Минск : Універсітэцкае |
| Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1998. – № 1. – С. 25-29. |
| Abstract: | The electrical activity and redistribution during rapid thermal annealing (RTA) of high concentrations of As implanted into epitaxially grown, relaxed Si1-xGex for x≤0,5 have been studied as a function of composition x and RTA parameters. At a given RTA temperature the maximum carrier concentration decreases and the redistribution increases with increasing x. Maximum carrier concentrations and junction depths as a function of composition and RTA parameters are given. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/226297 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Sponsorship: | Работа выполнялась при финансовом содействии Фонда фундаментальных исследований Беларуси (грант № Т96-159), а также в рамках NATO Linkage Grant №940672. |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 1998, №1 (январь) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.