Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/226297Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | - |
| dc.contributor.author | Тишков, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Ширяев, С. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Ларсен, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-08-06T11:14:40Z | - |
| dc.date.available | 2019-08-06T11:14:40Z | - |
| dc.date.issued | 1998 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 1998. – № 1. – С. 25-29. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/226297 | - |
| dc.description.abstract | The electrical activity and redistribution during rapid thermal annealing (RTA) of high concentrations of As implanted into epitaxially grown, relaxed Si1-xGex for x≤0,5 have been studied as a function of composition x and RTA parameters. At a given RTA temperature the maximum carrier concentration decreases and the redistribution increases with increasing x. Maximum carrier concentrations and junction depths as a function of composition and RTA parameters are given. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнялась при финансовом содействии Фонда фундаментальных исследований Беларуси (грант № Т96-159), а также в рамках NATO Linkage Grant №940672. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : Універсітэцкае | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Поведение мышьяка в сплавах Si1-xGex при быстром термическом отжиге | ru |
| dc.type | article | ru |
| Располагается в коллекциях: | 1998, №1 (январь) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.