Применение высокодозной ионной имплантации для синтеза кристаллических преципитатов InAs в Si и SiO2

Купчишин, А. И.; Власукова, Л. А.; Мильчанин, О. В.; Комаров, А. Ф.; Wesch, W.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223754

Title:	Применение высокодозной ионной имплантации для синтеза кристаллических преципитатов InAs в Si и SiO2
Authors:	Купчишин, А. И. Власукова, Л. А. Мильчанин, О. В. Комаров, А. Ф. Wesch, W.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2007
Publisher:	Минск : Изд. центр БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation witli solids : материалы 7-й Междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007 г. / редкол. В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2007. — С. 254-256.
Abstract:	Наноразмерные кристаллиты InAs синтезированы в матрицах кристаллического кремния и диоксида кремния с помощью высокодозной «горячей» имплантации ионов мышьяка и индия и высокотемпературного отжига. Для анализа распределения примесей и оценки структурных и оптических характеристик имплантированных слоев использовались методы РОРКИ, ПЭМ и низкотемпературной ФЛ.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/223754
ISBN:	978-985-476-530-3
Appears in Collections:	2007. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
254-256.pdf		610,45 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar