Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223754
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Купчишин, А. И. | - |
dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | - |
dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
dc.contributor.author | Комаров, А. Ф. | - |
dc.contributor.author | Wesch, W. | - |
dc.date.accessioned | 2019-07-12T08:55:13Z | - |
dc.date.available | 2019-07-12T08:55:13Z | - |
dc.date.issued | 2007 | - |
dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation witli solids : материалы 7-й Междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007 г. / редкол. В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2007. — С. 254-256. | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-476-530-3 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223754 | - |
dc.description.abstract | Наноразмерные кристаллиты InAs синтезированы в матрицах кристаллического кремния и диоксида кремния с помощью высокодозной «горячей» имплантации ионов мышьяка и индия и высокотемпературного отжига. Для анализа распределения примесей и оценки структурных и оптических характеристик имплантированных слоев использовались методы РОРКИ, ПЭМ и низкотемпературной ФЛ. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : Изд. центр БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Применение высокодозной ионной имплантации для синтеза кристаллических преципитатов InAs в Si и SiO2 | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2007. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
254-256.pdf | 610,45 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.