Электрофизические свойства наноструктур Si / SiO2 / металл, полученных с помощью технологии быстрых тяжелых ионов

Abstract

В настоящее время проводится интенсивное изучение физических свойств низкоразмерных систем и наноструктурных материалов с целью создания разнообразных наноэлектронных устройств. В связи с этим развиваются различные технологии, позволяющие получать наноразмерные кластеры различных материалов, полупроводниковые нанотрубки и другие наносистемы. В то же время устойчивый рост затрат на производство электронных приборов стимулирует поиск новых технологий, позволяющих уменьшать размеры приборов до нанометрового диапазона. В частности, в последние годы возрастает интерес к технологии треков быстрых тяжелых ионов (БТИ), связанной с формированием узких и протяженных областей радиационного повреждения («латентных ионных треков»), в результате воздействия на вещество энергетичных ионов. В последнем случае протравленные треки БТИ (или поры) формируются в различных подложках за счет химического воздействия специальных травителей, удаляющих области треков с модифицированными свойствами. Для создания различиных электронных устройств с использованием треков БТИ (ионных треков), например разного рода сенсоров, можно использовать введение различных материалов в такие поры.