Определение природы радиационно-индуцированных дефектов в пленках халькопиритных полупроводников Cu(In,Ga)Se2

Мудрый, А. В.; Короткий, А. В.; Иванюкович, А. В.; Гременок, В. Ф.; Залесский, В. Б.; Леонова, Т. Р.; Поликанин, A. M.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223473

Title:	Определение природы радиационно-индуцированных дефектов в пленках халькопиритных полупроводников Cu(In,Ga)Se2
Authors:	Мудрый, А. В. Короткий, А. В. Иванюкович, А. В. Гременок, В. Ф. Залесский, В. Б. Леонова, Т. Р. Поликанин, A. M.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2007
Publisher:	Минск : Изд. центр БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation witli solids : материалы 7-й Междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007 г. / редкол. В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2007. — С. 134-136.
Abstract:	С использованием метода фотолюминесценции изучено влияние облучения электронами с энергией 5 МэВ на изменение оптических свойств тонких пленок Cu(ln,Ga)Se2. Обнаружено, что интенсивность полосы люминесценции, обусловленной донорно-акцепторными парами, значительно уменьшается при облучении дозой ~ 10^16 см^-2. В облученных пленках Cu(ln,Ga)Se2 обнаружены дефекты, являющиеся эффективными центрами безизлучательной рекомбинации.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/223473
ISBN:	978-985-476-530-3
Appears in Collections:	2007. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
134-136.pdf		610,71 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar