Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223473
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМудрый, А. В.-
dc.contributor.authorКороткий, А. В.-
dc.contributor.authorИванюкович, А. В.-
dc.contributor.authorГременок, В. Ф.-
dc.contributor.authorЗалесский, В. Б.-
dc.contributor.authorЛеонова, Т. Р.-
dc.contributor.authorПоликанин, A. M.-
dc.date.accessioned2019-07-11T08:18:19Z-
dc.date.available2019-07-11T08:18:19Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом = Interaction of radiation witli solids : материалы 7-й Междунар. конф., Минск, 26-28 сент. 2007 г. / редкол. В. М. Анищик (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2007. — С. 134-136.ru
dc.identifier.isbn978-985-476-530-3-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/223473-
dc.description.abstractС использованием метода фотолюминесценции изучено влияние облучения электронами с энергией 5 МэВ на изменение оптических свойств тонких пленок Cu(ln,Ga)Se2. Обнаружено, что интенсивность полосы люминесценции, обусловленной донорно-акцепторными парами, значительно уменьшается при облучении дозой ~ 10^16 см^-2. В облученных пленках Cu(ln,Ga)Se2 обнаружены дефекты, являющиеся эффективными центрами безизлучательной рекомбинации.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : Изд. центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОпределение природы радиационно-индуцированных дефектов в пленках халькопиритных полупроводников Cu(In,Ga)Se2ru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2007. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
134-136.pdf610,71 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.