Зависимость между скоростью распыления материала и интенсивностью линий спектра плазмы при магнетронном распылении

Abstract

В настоящее время тонкопленочные покрытия используются практически во всех отраслях промышленности. К качеству этих покрытий предъявляются все более жесткие требования. Из-за этого актуальными являются задачи сознания и совершенствования методов контроля получения тонкопленочных покрытий. В данной статье рассмотрены процессы, происходящие при магнетронном распылении материала в вакууме. При прохождении потока распыляемого материала через облако плазмы магнетронного разряда часть его подвергается возбуждению, вследствие чего образуются фотоны, характерные данному распыляемому материалу. Количество образуемых фотонов зависит от скорости распыления мишени. Следовательно, если анализировать интенсивность отдельных спектральных линий плазмы, то можно определить скорость распыления мишени. Предложена математическая модель, характеризующая зависимости между интенсивностью отдельных спектральных линий плазмы, скоростью распыления мишени и геометрическими параметрами магнетронной распылительной системы.