Моделирование формирования кластеров собственных дефектов в облученном кремнии: кинетический метод Монте-карло

Abstract

Ионная имплантация является одним из основных этапов в технологии производства современных интегральных схем, поэтому процессы формирования кластеров собствен­ных дефектов в ионно-облученном кремнии привлекают значительное внимание. На атомарном уровне широко распространены два подхода к исследованию ки­нетики образования и эволюции кластеров дефектов. С одной стороны, можно создать модельный кристаллит и провести отжиг этой системы при желаемых темпера­турах методом молекулярной динамики (МД). С другой стороны, можно рассчитать параметры взаимодействия между различными индивидуальными дефектами, ис­пользуя расчеты из первых принципов, и исследовать процесс формирования класте­ров из отдельных подвижных дефектов кинетическим методом Монте-Карло (КМК). Однако наиболее перспективным представляется сочетание обоих подходов, которое взаимно компенсирует их слабые стороны.