Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223434Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Korshunov, F. Р. | - |
| dc.contributor.author | Marchenko, I. G. | - |
| dc.contributor.author | Zhdanovich, N. Е. | - |
| dc.contributor.author | Gurin, Р. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-11T07:16:31Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-11T07:16:31Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 143-145 | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-518-091-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223434 | - |
| dc.description.abstract | Today, semiconductor diodes with schottky barriers are increasingly more widely used in semiconductor electronics which is explained bу their higher operation speed as compared to bipolar devices. At the same time, behaviour of such devices in conditions of their opcration in the fields of various irradiations has not bееn studied sufficiently up till now. | ru |
| dc.language.iso | en | en |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Electron irradiation effects in ерitaxial schottky barriers | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 143-145.pdf | 548,56 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.