Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223352| Title: | Сравнительные характеристики кремниевых и алмазных фотоприемников в ультрафиолетовом диапазоне |
| Authors: | Ермакова, А. В. Русецкий, М. С. Казючиц, Н. М. Стельмах, Г. Ф. Сикорский, В. В. Шуленков, А. С. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 85-87 |
| Abstract: | Регистрация ультрафиолетового (УФ) излучения фотоприемниками на основе кремния или арсенида галлия осложняется необходимостью экранирования или фильтрации излучения видимого диапазона. Этого недостатка лишены «солнечно слепые» фотоприемники на основе более широкозонных материалов, таких как карбид кремния, нитрид галлия, алмаз. УФ фотоприемники. Для их производства используются специально отобранные безазотные кристаллы алмаза типа Па, которые очень редко встречаются в природе. Авторы работы провели исследования характеристик УФ фотоприемников на основе поликристаллических алмазных пленок, выращенных по CVD технологии на кремниевых подложках. В целом удовлетворительные характеристики этих фотоприемников в УФ диапазоне ограничиваются рекомбинацией неравновесных носителей заряда на границах зерен. Кроме того, они обладают чувствительностью в видимой части спектра. Целью нашей работы была оценка чувствительности УФ фотоприемников, изготовленных из синтетических монокристаллов алмаза производства РУП «Адамас-БГУ». |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223352 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Appears in Collections: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.