Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223352
Заглавие документа: | Сравнительные характеристики кремниевых и алмазных фотоприемников в ультрафиолетовом диапазоне |
Авторы: | Ермакова, А. В. Русецкий, М. С. Казючиц, Н. М. Стельмах, Г. Ф. Сикорский, В. В. Шуленков, А. С. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2008 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 85-87 |
Аннотация: | Регистрация ультрафиолетового (УФ) излучения фотоприемниками на основе кремния или арсенида галлия осложняется необходимостью экранирования или фильтрации излучения видимого диапазона. Этого недостатка лишены «солнечно слепые» фотоприемники на основе более широкозонных материалов, таких как карбид кремния, нитрид галлия, алмаз. УФ фотоприемники. Для их производства используются специально отобранные безазотные кристаллы алмаза типа Па, которые очень редко встречаются в природе. Авторы работы провели исследования характеристик УФ фотоприемников на основе поликристаллических алмазных пленок, выращенных по CVD технологии на кремниевых подложках. В целом удовлетворительные характеристики этих фотоприемников в УФ диапазоне ограничиваются рекомбинацией неравновесных носителей заряда на границах зерен. Кроме того, они обладают чувствительностью в видимой части спектра. Целью нашей работы была оценка чувствительности УФ фотоприемников, изготовленных из синтетических монокристаллов алмаза производства РУП «Адамас-БГУ». |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223352 |
ISBN: | 978-985-518-091-4 |
Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.