Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223293
Title: Формирование сильнолегированных «карманов» КМОП-структур высокоэнергетичной ионной имплантацией
Authors: Бринкевич, Д. И.
Просолович, В. С.
Янковский, О. Н.
Янковский, Ю. Н.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2008
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 65-68
Abstract: Широкое применение микросхем, изготавливаемых по КМОП-технологии, обусловлено низкой рассеиваемой мощностью в статическом режиме работы и низкой стоимостью изготовления приборов вследствие отсутствия процессов эпитаксии и формирования скрытых слоев [1, 2]. Технология изготовления КМОП-структуры обуславливает возникновение паразитного тиристора в объеме подложки кремния (и-/>-и-/?-структуры) за счет создания областей rt- и р^-типг. проводимости («карма- нов») в слаболегированной подложке. Паразитный тиристор при воздействии помехи (когда носители тока протекают сквозь все три /7-«-перехода) может оказаться во включенном устойчивом состоянии [3]. В таком случае происходит «защелкивание» и алюминиевые шины под воздействием большого тока нагреваются и расплавляются, что приводит к выходу из строя всей схемы.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223293
ISBN: 978-985-518-091-4
Appears in Collections:2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
65-68.pdf680,81 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.