Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223293| Заглавие документа: | Формирование сильнолегированных «карманов» КМОП-структур высокоэнергетичной ионной имплантацией |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Янковский, О. Н. Янковский, Ю. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 65-68 |
| Аннотация: | Широкое применение микросхем, изготавливаемых по КМОП-технологии, обусловлено низкой рассеиваемой мощностью в статическом режиме работы и низкой стоимостью изготовления приборов вследствие отсутствия процессов эпитаксии и формирования скрытых слоев [1, 2]. Технология изготовления КМОП-структуры обуславливает возникновение паразитного тиристора в объеме подложки кремния (и-/>-и-/?-структуры) за счет создания областей rt- и р^-типг. проводимости («карма- нов») в слаболегированной подложке. Паразитный тиристор при воздействии помехи (когда носители тока протекают сквозь все три /7-«-перехода) может оказаться во включенном устойчивом состоянии [3]. В таком случае происходит «защелкивание» и алюминиевые шины под воздействием большого тока нагреваются и расплавляются, что приводит к выходу из строя всей схемы. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223293 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.