Формирование сильнолегированных «карманов» КМОП-структур высокоэнергетичной ионной имплантацией

Abstract

Широкое применение микросхем, изготавливаемых по КМОП-технологии, обусловлено низкой рассеиваемой мощностью в статическом режиме работы и низкой стоимостью изготовления приборов вследствие отсутствия процессов эпитаксии и формирования скрытых слоев [1, 2]. Технология изготовления КМОП-структуры обуславливает возникновение паразитного тиристора в объеме подложки кремния (и-/>-и-/?-структуры) за счет создания областей rt- и р^-типг. проводимости («карма- нов») в слаболегированной подложке. Паразитный тиристор при воздействии помехи (когда носители тока протекают сквозь все три /7-«-перехода) может оказаться во включенном устойчивом состоянии [3]. В таком случае происходит «защелкивание» и алюминиевые шины под воздействием большого тока нагреваются и расплавляются, что приводит к выходу из строя всей схемы.