Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223283| Заглавие документа: | Неразрушающий контроль пространственного распределения структурных дефектов в приповерхностных областях полупроводниковых структур |
| Авторы: | Воробей, Р. И. Гусев, О. К. Пилипeнкo, В. А. Плeбaнoвич, В. И. Тявловский, А. К. Тявловский, К. Л. Чигирь, Г. Г. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 57-61 |
| Аннотация: | Контроль параметров пространственного распределения структурных дефектов производится неразрушающим методом измерения электрического потенциала поверхности с использованием зонда Кельвина. Модификация метода зонда Кельвина с анализом дистанционной зависимости компенсирующего напряжения от межэлектродного зазора [1] позволяет обнаруживать и измерять параметры пространственного распределения электрического потенциала поверхности объекта контроля, связанные с неоднородностью распределения структурных образований, имеющих размеры существенно меньше размеров отсчетного электрода. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223283 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.