Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223270| Заглавие документа: | Использование вертикальных реакторов пониженного давления для осавдения пленок поликристаллического кремния, нитрида кремния и оксида кремния |
| Авторы: | Наливайко, О. Ю. Сухан, В. В. Плебанович, В. И. Каленик, В. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 49-53 |
| Аннотация: | Осаждение слоев в реакторах пониженного давления (РПД - LPCVD) получило широкое распространение благодаря значительным преимуществам по сравнению с реакторами атмосферного давления, а именно: высокой производительности, практически не изменяющейся при увеличении диаметра подложек, более высокой однородности осаждаемых слоев и значительно меньшему расходу реагентов [1]. Осаждение при пониженном давлении в трубчатых реакторах используется для получения слоев аморфного и поликристаллического кремния, нелегированного и легированного в процессе роста фосфором, мышьяком или бором, и поликремния, легированного кислородом, нитрида кремния, оксида кремния и силикатных стекол (фосфоросиликатного и борофосфоросиликатного стекла). |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223270 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.