Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223270
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | - |
dc.contributor.author | Сухан, В. В. | - |
dc.contributor.author | Плебанович, В. И. | - |
dc.contributor.author | Каленик, В. И. | - |
dc.date.accessioned | 2019-07-09T09:00:16Z | - |
dc.date.available | 2019-07-09T09:00:16Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 49-53 | ru |
dc.identifier.isbn | 978-985-518-091-4 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223270 | - |
dc.description.abstract | Осаждение слоев в реакторах пониженного давления (РПД - LPCVD) получило широкое распространение благодаря значительным преимуществам по сравнению с реакторами атмосферного давления, а именно: высокой производительности, практически не изменяющейся при увеличении диаметра подложек, более высокой однородности осаждаемых слоев и значительно меньшему расходу реагентов [1]. Осаждение при пониженном давлении в трубчатых реакторах используется для получения слоев аморфного и поликристаллического кремния, нелегированного и легированного в процессе роста фосфором, мышьяком или бором, и поликремния, легированного кислородом, нитрида кремния, оксида кремния и силикатных стекол (фосфоросиликатного и борофосфоросиликатного стекла). | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Использование вертикальных реакторов пониженного давления для осавдения пленок поликристаллического кремния, нитрида кремния и оксида кремния | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.