Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223270
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНаливайко, О. Ю.-
dc.contributor.authorСухан, В. В.-
dc.contributor.authorПлебанович, В. И.-
dc.contributor.authorКаленик, В. И.-
dc.date.accessioned2019-07-09T09:00:16Z-
dc.date.available2019-07-09T09:00:16Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 49-53ru
dc.identifier.isbn978-985-518-091-4-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/223270-
dc.description.abstractОсаждение слоев в реакторах пониженного давления (РПД - LPCVD) получило широкое распространение благодаря значительным преимуществам по сравнению с реакторами атмосферного давления, а именно: высокой производительности, практически не изменяющейся при увеличении диаметра подложек, более высокой однородности осаждаемых слоев и значительно меньшему расходу реагентов [1]. Осаждение при пониженном давлении в трубчатых реакторах используется для получения слоев аморфного и поликристаллического кремния, нелегированного и легированного в процессе роста фосфором, мышьяком или бором, и поликремния, легированного кислородом, нитрида кремния, оксида кремния и силикатных стекол (фосфоросиликатного и борофосфоросиликатного стекла).ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleИспользование вертикальных реакторов пониженного давления для осавдения пленок поликристаллического кремния, нитрида кремния и оксида кремнияru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2008. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
49-53.pdf825,01 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.