Влияние деформаций упругой анизотропии на концентрирование акустических фононов в монокристаллическом оксиде цинка

Abstract

Широкозонный полупроводниковый оксид цинка является одним из ключевых материалов современной электроники. Его многофункциональные физические свойства исследуются широким фронтом с целью разработки и повышения эффективности светоизлучающих, акустоэлектронных, фотопреобразуюших и других устройств и приборов на его основе [1-5]. И независимо от размерной шкалы рабочей среды электронного устройства по-прежнему продолжается поиск технологических условий роста совершенных монокристаллов этого материала [1, 3-7]. Данный факт объективным образом связан с интерфейсной связью нанообъектов и объемной матрицы, с которой они, как правило, сопряжены. Потому углубление знаний о структурных, электрических, оптических свойствах объемного материала обеспечивает углубление понимания функциональных связей между рабочими характеристиками и параметрами матрицы и низкоразмерных электронных устройств. Указанные функциональные связи являются предметом пристального изучения. Наиболее рельефно они проявляются и обнаруживаются в тех системах, функционирование которых основано на однотипных свойствах, явлениях, эффектах. В частном случае оксида цинка нетрудно видеть, что функционально объединяющей физической основой всех отмеченных приложений этого материала (электрических, акустических, оптических) является наличие переноса энергии в любой из указанных систем. Потому разработка способов управления переносом энергии, выявление новых свойств данного явления потенциально способствует решению вышеотмченных практических задач. Проблематике фононного переноса энергии в оксиде цинка посвяшена настоящая статья.