Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223234| Заглавие документа: | Согласование комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельного диода с экспериментальными данными |
| Авторы: | Абрамов, И. И. Гончаренко, И. А. Коломейцева, И. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 13-16 |
| Аннотация: | Одним из приборов, подтверждающим огромные потенциальные возможности твердотельной наноэлектроники, является резонансно-туннельный диод (РТД). Серьезная проблема при его разработке и исследовании связана с недостаточной адекватностью большинства известных моделей различных формализмов [1]. В данной работе проиллюстрирована адекватность предложенной комбинированной двухзонной модели РТД путем сравнения результатов моделирования с экспериментальными данными. Проанализировано влияние поперечного волнового вектора на результаты расчета вольт-амперных характеристик (ВАХ) исследуемого прибора. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223234 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.